為了提高晶體硅太陽能電池的效率，通常需要減少太陽電池正表面的反射，還需要對晶體硅表面進(jìn)行鈍化處理，以降低表面缺陷對于少數(shù)載流子的復(fù)合作用。 硅的折射率為3.8，如果直接將光滑的硅表面放置在折射率為1.0的空氣中，其對光的反射率可達(dá)到30%左右。人們使用表面的織構(gòu)化降低了一部分反射，但是還是很難將反射率降得很低，尤其是對多晶硅，使用各向同性的酸腐蝕液，如果腐蝕過深，會影響到PN結(jié)的漏電流，因此其對表面反射降低的效果不明顯。因此，考慮在硅表面與空氣之間插一層折射率適中的透光介質(zhì)膜，以降低表面的反射，在工業(yè)化應(yīng)用中，SiNx膜被選擇作為硅表面的減反射膜，SiNx膜的折射率隨著x值的不同，可以從1.9變到2.3左右，這樣比較適合于在3.8的硅和1.0的空氣中進(jìn)行可見光的減反射設(shè)計，是一種較為優(yōu)良的減反射膜。 另一方面，硅表面有很多懸掛鍵，對于N型發(fā)射區(qū)的非平衡載流子具有很強(qiáng)的吸引力，使得少數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合作用，從而減少電流。因此需要使用一些原子或分子將這些表面的懸掛鍵飽和。實驗發(fā)現(xiàn)，含氫的SiNx膜對于硅表面具有很強(qiáng)的鈍化作用，減少了表面不飽和的懸掛鍵，減少了表面能級。綜合來看，SiNx膜被制備在硅的表面起到兩個最用，其一是減少表面對可見光的反射；其二，表面鈍化作用。 PECVD技術(shù)的分類：用來制備SiNx膜的方法有很多種，包括：化學(xué)氣相沉積法（CVD法）、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD法）、低壓化學(xué)氣相沉積法（LPCVD法）。在目前產(chǎn)業(yè)上常用的是PECVD法。 PECVD法按沉積腔室等離子源與樣品的關(guān)系上可以分成兩種類型： 1、直接法：樣品直接接觸等離子體，樣品或樣品的支撐體就是電極的一部分。其中直接法又分兩種類型，一是管式PECVD系統(tǒng)；二是板式PECVD系統(tǒng)。 2、間接法：或稱離域法。待沉積的樣品在等離子區(qū)域之外，等離子體不直接打到樣品表面，樣品或其支撐體也不是電極的一部分。其中直接法又分兩種類型，一是微波法，二是直流法。